薄层电阻测试，薄层电阻测量机构

薄层电阻是半导体膜或薄金属膜单位面积上的电阻。

薄层电阻检测周期

到样后7-10个工作日（可加急），根据样品及其检测项目/方法会有所变动，具体需咨询工程师。

薄层电阻检测标准

1、 GB/T 14141-1993 硅外延层、扩散层和离子注入层薄层电阻的测定

2、 GB/T 14141-2009 硅外延层、扩散层和离子注入层薄层电阻的测定.直排四探针法

3、 GB/T 6616-2009 半导体硅片电阻率及硅薄膜薄层电阻测试方法 非接触涡流法

4、 SJ 20515-1995 金电镀层薄层电阻测试方法

5、 GB/T 37152-2018 纳米技术 碳纳米管材料 薄层电阻

6、 GOST R 56189-2014 纳米制造. 关键控制特性. *2-1部分. 碳纳米管材料. 薄层电阻的测定方法

薄层电阻检测范围

碳纳米管材料、建筑玻璃、晶片、半导体、扩散层、金属线、石墨烯、铝、铜、电池片、平板显示器、聚合物箔、OLED、陶瓷等金属、TCO、导电纳米材料或其他涂层等。

薄层电阻检测项目

薄层电阻率测试、四探针薄层电阻测试、表面薄层电阻与表面电阻率测试等。

以上是有关薄层电阻检测的相关介绍，如有相关检测需求可以咨询实验室工程师帮您解答。清析技术研究院致力于产品研发、成分检测、成分分析、配方还原、未知物分析、材料化工检测等技术服务，实验室设施齐全，可提供CMA/CNAS资质检测报告。