光刻胶又称光致抗蚀剂，是指通过紫外光、电子束、离子束、X射线等的照射或辐射，其溶解度发生变化的耐蚀剂刻薄膜材料。光刻胶配方分析检测周期
到样后7-10个工作日（可加急），根据样品及其检测项目/方法会有所变动，具体需咨询工程师。
光刻胶配方分析检测标准
1、IPC MI-660 5.3-1984 干电影光刻胶2、T/ICMTIA 5.3-2020 集成电路用ArF光刻胶光刻检测方法3、T/ICMTIA 5.1-2020 集成电路用 ArF 干式光刻胶4、DIN 50455-2:1999-11 半导体技术材料测试 光刻胶表征方法 *2部分：正性光刻胶光敏性的测定5、ASTM F581-78(1991)e1 光刻胶加速老化的实施规程
6、T/ICMTIA 5.2-2020 集成电路用ArF浸没式光刻胶7、AIR FORCE A-A-59404-1999 便携式液压油型光刻胶配量器
8、ASTM F907-85(1992)e1 光刻胶旋涂用圆片旋转加速度测量的试验方法
光刻胶配方分析检测范围
正型光刻胶、紫外光刻胶、负性光刻胶、电子束光刻胶、pcb光刻胶、半导体光刻胶、去胶剂光刻胶、可行性光刻胶等。光刻胶检测项目
配方分析，粘度检测，离子含量检测，针孔检测，主要成分检测，组成成分检测，成分比例检测，元素检测，化学检测，金属离子检测等。以上是有关光刻胶配方分析检测的相关介绍，如有其他检测需求可以咨询实验室工程师帮您解答。清析技术研究院致力于产品研发、成分检测、成分分析、配方还原、未知物分析、材料化工检测等技术服务，实验室设施齐全，可提供CMA/CNAS资质检测报告。http://13636478755.b2b168.com
